• Informazioni prodotto

  C(ISS): 1500 pF
  C(ISS) Tensione riferimento: 25 V
  Caratteristiche (transistor): Canale N
  Caratteristiche Transistor: Standard
  Case: TO-247-3
  Fabbricante: Infineon Technologies
  I(d): 53 A
  Metodo di montaggio: Foro passante
  Numero canali: 1
  Potenza (max) P(TOT): 120 W
  Q(G): 61 C
  Q(G) Tensione di riferimento: 10 V
  R(DS)(on): 20 mΩ
  R(DS)(on) Corrente di riferimento: 29 A
  R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V
  Serie (semiconduttori): HEXFET®
  Sigla produttore (componenti): INF
  Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C
  Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C
  Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 55 V
  Tipo (tipo di produttore): IRFP044NPBF
  Tipo prodotto: MOSFET
  U(DSS): 55 V
  U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA
  U(GS)(th) max.: 4 V

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