Infineon Technologies IRL2505PBF MOSFET 1 Canale N 200 W TO-220AB

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  • C(ISS): 5000 pF
    C(ISS) Tensione riferimento: 25 V
    Caratteristiche (transistor): Canale N
    Caratteristiche Transistor: Logic Level Gate
    Case: TO-220AB
    Fabbricante: Infineon Technologies
    Metodo di montaggio: Foro passante
    Numero canali: 1
    Potenza (max) P(TOT): 200 W
    Q(G): 130 C
    Q(G) Tensione di riferimento: 5 V
    R(DS)(on): 8 mΩ
    R(DS)(on) Corrente di riferimento: 54 A
    R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V
    Serie (semiconduttori): HEXFET®
    Sigla produttore (componenti): INF
    Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C
    Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C
    Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 55 V
    Tipo (tipo di produttore): IRL2505PBF
    Tipo prodotto: MOSFET
    U(DSS): 55 V
    U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA
    U(GS)(th) max.: 2 V

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C(ISS): 5000 pF ¶ú C(ISS) Tensione riferimento: 25 V ¶ú Caratteristiche (transistor): Canale N ¶ú Caratteristiche Transistor: Logic Level Gate ¶ú Case: TO-220AB ¶ú Compatibile RoHS: SǪ ¶ú Fabbricante: Infineon Technologies ¶ú Metodo di montaggio: Foro passante ¶ú Numero canali: 1 ¶ú Potenza (max) P(TOT): 200 W ¶ú Q(G): 130 C ¶ú Q(G) Tensione di riferimento: 5 V ¶ú R(DS)(on): 8 m?Ý ¶ú R(DS)(on) Corrente di riferimento: 54 A ¶ú R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V ¶ú Serie (semiconduttori): HEXFET¶© ¶ú Sigla produttore (componenti): INF ¶ú Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 ¶øC ¶ú Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 ¶øC ¶ú Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 55 V ¶ú Tipo (tipo di produttore): IRL2505PBF ¶ú Tipo transistor (categorizzazione): MOSFET ¶ú U(DSS): 55 V ¶ú U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 ¶æA ¶ú U(GS)(th) max.: 2 V
Dettagli del prodotto

Infineon Technologies
IRL2505PBF
2050003204651

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